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IRF3205力MOSFETのトランジスター一般目的mosfetはダイオードのsmdを導きました

商品の詳細
起源の場所:元の
ブランド名:IRF
証明:Original Factory Pack
モデル番号:IRF3205
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最小注文数量:50pcs
価格:negotiation
パッケージの詳細:細部については私に連絡して下さい
受渡し時間:1 日
支払条件:T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力:5200PCS
説明
接続点に場合– – –:0.75 °C/W
場合に流し、平らな、グリースを塗られた表面:0.50 °C/W
接続点に包囲された:62 °C/W
下水管に源の絶縁破壊電圧:55ボルト
絶縁破壊電圧の臨時雇用者。係数:0.057 V/°C
IRF3205力MOSFETのトランジスター一般目的mosfet ►Advancedプロセス ►Technologyの超低いオン抵抗 175°Cを評価する►Dynamic dv/dt ►Operating温度 ►Fastの切換え ►Fullyなだれ評価されるDesc 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します...
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Smd はダイオードを導きました

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