位相制御 電界効果トランジスタ 力モジュール IC Netz のサイリスタのダイオード モジュール

位相制御Mosfet力モジュールIC Netzのサイリスタのダイオード モジュール

 

 

モジュールIC TT425N12KOFのpowerblock

 

Elektrische Eigenschaften/電気特性

Höchstzulässige Werte/最高の評価される価値

 

Periodische Vorwärts-のundのRückwärts-Spitzensperrspannungの反復的なピーク前方オフ状態および逆電圧 Tvj = -40°C…最高Tvj VDRM、VRRM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannungの非反復ピーク前方オフ状態の電圧 Tvj = -40°C…最高Tvj VDSM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwertの最高RMSオン州の流れ Tvj =+25°C…最高Tvj VRSM    
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwertの最高RMSオン州の流れ   ITRMSM 800 A
現在のDauergrenzstrom平均オン州TC = 85°C TC = 74°C ITAVM 425 510 A A

TC = 85°C

TC = 74°C

 

425

510

A

A

Stoßstrom-Grenzwertのサージ電流

Tvj = 25 °C TP = 10氏

 最高Tvj = Tvj TP = 10氏

ITSM

14500

12500

A

A

Grenzlastintegral Iの²のt価値

Tvj = 25 °C TP = 10氏

最高Tvj = Tvj TP = 10氏

I ² t

² s

² s

A

A

オン州の流れの上昇のKritische Stromsteilheitの重大な率 DIN IEC 747-6 f = 50のHzのiGM = 1 A、diG/dt = 1 A/µs (dIT/dt) Cr

120

A/µs
オフ状態の電圧の上昇のKritische Spannungssteilheitの重大な率 最高Tvj = Tvj vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe/第6手紙F (dvD/dt) Cr 1000 V/µs

 

Elektrische Eigenschaften/電気特性

Charakteristische Werte/独特価値

 

Freiwerdezeitの回路によって整流される回転時間 、iTM = ITAVMのvRM = 100ボルト最高のTvj = Tvj vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs、- diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe/第5手紙O tq typ 250 µs
分離Prüfspannungの絶縁試験の電圧 RMS、f = 50のHz、t = 1最低RMS、f = 50のHz、t = 1秒 VISOL

3.0

3.6

Kv

Kv

 

Luftselbstkühlung/自然脱熱器Kühlkörper/脱熱器タイプごとの1 ModulプロKühlkörper/1つのモジュールを冷却します:KM 17 (120W) 

 

Verstärkte Kühlungは/脱熱器Kühlkörper/脱熱器タイプごとの1 ModulプロKühlkörper/1つのモジュールの冷却を強制しました:KM17 (Papst 4650N)

 

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